LED是一种必要将电能转化成为光能的半导体光源，具备节约能源、环保、安全性、寿命长、低功耗等特点，普遍应用于命令、表明、装饰、背光源、普通灯光等领域[1]。其芯片与基板之间一般来说使用引线键合展开电气相连，即通过热、压力、超声波等能量使金属引线与被焊接焊盘再次发生原子间蔓延互溶，构建芯片电极-键合线-基板彼此之间的键合相连。　　在LED的生产生产中，为理解、评价、分析和提升LED的环境适应性，常对LED展开涉及可靠性试验[2]，冷冲击试验即为其中一种。

该实验通过对LED产生周期性瞬变的冷温度循环，试验其所能忍受的因热胀冷缩所引发的化学变化或物理损害。在该试验中，LED键合线常沦为其中的脆弱部位，其在试验中的断线与否对LED可靠性起着关键性起到。　　为了理解LED键合线在冷冲击试验下的脱落机理，本文从材料的热应力基础理论抵达，建构冷冲击条件下的LED键合线模型，并通过有限元数值仿真对键合线的热应力展开计算出来分析，进而证实键合线热应力产于情况及影响热应力的涉及参数。

　　1、热应力基础理论　　热应力又称温变形变。产生热应力的必要条件是不存在温差，当温差引发的结构应力受到约束时才可产生热应力。约束有三种形式，即外部刚性约束、内部各部分之间变形约束以及有所不同材料之间的互相变形约束。对于LED而言，冷冲击条件下，LED受到周期性的热胀冷缩，各材料之间热膨胀系数有所不同又互相约束，因此在各材料界面，不易产生应力集中。

　　在冷冲击过程中，由于LEDPCB体各部分组件材料的热膨胀系数有所不同，将产生周期性的收缩与膨胀。键合线不会受到有所不同程度的剪切和剪切，在键合线三维结构中形变呈圆形多轴状态产于，因而在分析键合线在冷冲击温度循环条件下的力学不道德时，使用回应综合形变强度的等效应力来叙述键合线的形变产于状态。　　基于第四强度理论VonMises准则，等效应力用形变张量的分量回应为：　　　由上述分析由此可知，对于LED而言，环境温度温差越大、PCB材料之间的热膨胀系数差距越大、材料的弹性模量越大，LED受到热应力越大，随着时间减少，材料界面应力集中更容易产生疲惫脱落。　　当彰显LED各PCB材料以热力学属性，产生材料的热边界条件，才可由以上各公式对LED三维模型的等效热应力展开分析解法，之后可得出结论热载荷条件下LED各PCB材料各方位的等效应力情况。

其中，分析解法过程可通过有限元数值仿真解法构建[3-5]。

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